高低溫冷熱沖擊試驗箱半導體芯片封裝

高低溫沖擊試驗箱根據(jù)試驗需求及測試標準分為三箱式和兩箱式，區(qū)別在于試驗方式和內部結構不同。三箱式分為蓄冷室，蓄熱室和試驗室，產(chǎn)品在測試時是放置在試驗室。兩箱式分為高溫室和低溫室，是通過電機帶動提籃運動來實現(xiàn)高低溫的切換，產(chǎn)品放在提籃里，是隨提籃一起移動的。

高低溫冷熱沖擊試驗箱半導體芯片封裝

高低溫沖擊試驗箱執(zhí)行與滿足標準:

1、GB/T2423.1-2001低溫試驗方法;

2、GB/T2423.2-2001;

3、GB/T2423.22-1989溫度變化試驗N;

4. 軍標GJB150.3-86;

5. 軍標GJB150.4-86;

6. 軍標GJB150.5-86;

7、GJB150.5-86溫度沖擊試驗;

8、GJB360.7-87溫度沖擊試驗;

9、GJB367.2-87 405溫度沖擊試驗;

10、SJ/T10187-91Y73系列溫度變化試驗箱--一箱式;

11、SJ/T10186-91Y73系列溫度變化試驗箱--二箱式;

12、滿足標準IEC68-2-14_試驗方法N_溫度變化;

10、GB/T 2424.13-2002試驗方法溫度變化試驗導則;

11、GB/T 2423.22-2002溫度變化;

12、QC/T17-92汽車零部件耐候性試驗一般規(guī)則;

13、EIA 364-32熱沖擊(溫度循環(huán))測試程序的電連接器和插座的環(huán)境影響評估。